據(jù)消息，一個國際團(tuán)隊研發(fā)出一種新奇技術(shù)，他們將高性能磁性存儲芯片移植到一塊柔性塑料表面，且無損其性能，得到的透明薄膜狀柔性“智能塑料”芯片有優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲和處理能力，有望成為柔性輕質(zhì)設(shè)備設(shè)計和研制的關(guān)鍵元件。

  在最新研究中，科學(xué)家首先將氧化鎂基磁性隧道結(jié)(MTJ)種植在一個硅表面，接著蝕刻掉下面的硅，隨后使用一種轉(zhuǎn)印方法，在一個由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面，植入了一個磁性存儲芯片。

  新設(shè)備在磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)上的操作表明，MRAM的性能在很多方面強(qiáng)于傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲器計算機(jī)芯片，比如，處理速度更高、能耗更低、可在斷電后存儲數(shù)據(jù)等。

  柔性電子設(shè)備尤以柔性磁存儲設(shè)備最吸睛，因為它們是可穿戴電子和生物醫(yī)學(xué)設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和處理的關(guān)鍵部件。盡管科學(xué)家已在不同存儲芯片和材料上進(jìn)行了多項研究，但在柔性基座上構(gòu)造高性能存儲芯片而無損其性能仍面臨巨大挑戰(zhàn)。為此，新加坡國立大學(xué)副教授楊賢秀(音譯)領(lǐng)導(dǎo)韓國延世大學(xué)、比利時根特大學(xué)、新加坡材料研究和工程研究所的科學(xué)家研發(fā)出了這種新技術(shù)。

  楊賢秀表示：“我們是首個在柔性表面構(gòu)造磁性存儲器的團(tuán)隊。實驗證明，新設(shè)備的隧道磁電阻能達(dá)到300%，同時，我們也設(shè)法提升了對開關(guān)的控制能力，從而使這一柔性磁芯片能更快地傳輸數(shù)據(jù)?！?/p>

  該團(tuán)隊最近在美國和韓國為這項技術(shù)申請了專利，他們正在進(jìn)一步提升該設(shè)備的磁阻，并計劃將其應(yīng)用于其他電子設(shè)備。

  相關(guān)研究發(fā)表在最新一期《先進(jìn)材料》雜志上。